Hybride Gate-Dielektrikum-Zugriffsvorrichtung für Vertikalen Dreidimensionalen Speicher

EP4635268 Art A1 22. Oktober 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4635268
Aktenzeichen: EP23904339
Anmeldetag: 7. Dezember 2023
Veröffentlichung: 22. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10B12/00H01L29/423H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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