Oxidhalbleiterspeichervorrichtung mit Doppelkanalstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP4642185 Art A1 29. Oktober 2025

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4642185
Aktenzeichen: EP25162982
Anmeldetag: 11. März 2025
Veröffentlichung: 29. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10B43/30H10D30/01H10D30/67H10D30/69H10D64/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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