Dünnschichttransistor mit Kohlenstoffnanoröhrchenkanalschicht und Herstellungsverfahren dafür

EP4645368 Art A1 5. November 2025

Anmelder: Seoul National University R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4645368
Aktenzeichen: EP24821726
Anmeldetag: 8. März 2024
Veröffentlichung: 5. November 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/00H10D86/01H10K10/46H10K85/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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