Dielektrikum mit Niedriger Dielektrizitätskonstante für Zwischenverbindungen durch Selektive Implantation
EP4645379
Art A1
5. November 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4645379
- Aktenzeichen
- EP25164378
- Anmeldetag
- 18. März 2025
- Veröffentlichung
- 5. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/3115H01L23/532H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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