Galliumnitrid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP4648110
Art A1
12. November 2025
Anmelder: Southeast University, CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4648110
- Aktenzeichen
- EP23923756
- Anmeldetag
- 13. November 2023
- Veröffentlichung
- 12. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Southeast University
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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