Speicheranordnungen mit Vertikalen Transistoren in Peripheren Schaltungen

EP4649483 Art A1 19. November 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4649483
Aktenzeichen
EP23794237
Anmeldetag
23. August 2023
Veröffentlichung
19. November 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C5/02G11C7/06G11C11/4091H10B12/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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