Speichervorrichtung, Speichersystem und Verfahren zur Datenberechnung mit der Speichervorrichtung
EP4649485
Art A1
19. November 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4649485
- Aktenzeichen
- EP23855784
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 19. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10G11C11/54// G11C7/12G11C16/04G11C16/24G11C16/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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