Verwaltung Vertikaler Strukturen in Dreidimensionalen Halbleiterbauelementen

EP4649790 Art A1 19. November 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4649790
Aktenzeichen
EP23792865
Anmeldetag
6. September 2023
Veröffentlichung
19. November 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00H10D30/67H10D30/60
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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