Halbleitergehäuse mit Durchgangselektrode

EP4651200 Art A1 19. November 2025

Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4651200
Aktenzeichen
EP25156422
Anmeldetag
7. Februar 2025
Veröffentlichung
19. November 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/00H01L23/544H01L25/065H01L21/768H01L23/522H01L23/528H01L23/532H01L23/538
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SK hynix Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

59 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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