Mikroelektronische Laterale Leistungsbauelemente

EP4651672 Art A1 19. November 2025

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4651672
Aktenzeichen: EP25176889
Anmeldetag: 16. Mai 2025
Veröffentlichung: 19. November 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D64/23H01L23/482H10D30/47H10D8/60H10D62/10// H10D62/85

Abstract

L'invention porte sur un dispositif microélectronique comprenant : - Un substrat (1), - Un ilot (2) à base de GaN surmontant le substrat, en saillie, - Au moins un premier contact (31), par exemple un drain ou une cathode, sur la face supérieure (200) de l'ilot (2), - Au moins un deuxième contact (32), par exemple une source ou une anode, disposé sur la face supérieure (200) de l'ilot (2) et le long d'un bord (202) de ladite face supérieure (200). Le deuxième contact (32) entoure au moins partiellement le premier contact (31). Avantageusement, le deuxième contact (32) et le substrat (1) sont configurés pour être polarisés selon une même polarisation lors d'un fonctionnement du dispositif. Un procédé de fabrication d'un tel dispositif est également proposé.

Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von