Cfet-Architekturen mit Metallspurrouting zwischen Gestapelten Transistorvorrichtungen
EP4651674
Art A3
21. Januar 2026
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4651674
- Aktenzeichen
- EP25176231
- Anmeldetag
- 13. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/01H10D84/83H10D84/85H10D88/00H01L25/065
Abstract
In one embodiment, a complementary field effect transistor (CFET) device includes one or more metallization layers between stacked transistors.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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