Wortzeilenschutzverfahren im Rückseitenprozess einer Vorrichtung mit Vertikalem Dynamischem Direktzugriffsspeicher (dram)
EP4652817
Art A1
26. November 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4652817
- Aktenzeichen
- EP24720723
- Anmeldetag
- 29. Februar 2024
- Veröffentlichung
- 26. November 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H01L21/764
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Appleyard Lees IP LLP
Appleyard Lees IP LLP · Halifax