3D-Speicherzelle mit Doppelseitigen Kontakten und Herstellungsverfahren

EP4652820 Art A1 26. November 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4652820
Aktenzeichen
EP23748941
Anmeldetag
5. Juli 2023
Veröffentlichung
26. November 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10B41/27H10B41/50H10B43/27H10B43/50
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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