Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung davon sowie Halbleiterbauelement
EP4657515
Art A1
3. Dezember 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4657515
- Aktenzeichen
- EP23950094
- Anmeldetag
- 29. August 2023
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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