Graben-Mosfet mit Flachem Kontakt und Verfahren zu dessen Herstellung
EP4658020
Art A1
3. Dezember 2025
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4658020
- Aktenzeichen
- EP24179267
- Anmeldetag
- 31. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D62/13H10D30/01H10D64/00H10D30/66H10D62/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
458 Patente in unserer Datenbank