Speichervorrichtung und Betriebsverfahren dafür sowie Speichersystem und Speichersteuerung
EP4664460
Art A1
17. Dezember 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4664460
- Aktenzeichen
- EP24927588
- Anmeldetag
- 19. April 2024
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04G11C16/26G11C16/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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