Kontaktflächen einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP4664526
Art A2
17. Dezember 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4664526
- Aktenzeichen
- EP25211927
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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