Integrierte Schaltungsstrukturen mit Dielektrischer Gatewand und Dielektrischem Gatestopfen

EP4665109 Art A3 14. Januar 2026

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4665109
Aktenzeichen: EP25198917
Anmeldetag: 7. Juli 2022
Veröffentlichung: 14. Januar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H10D84/83H10D30/67H10D84/01H10D84/03// H10D30/43B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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