Herstellungsverfahren für Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitersubstrat und Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleitersubstrat
EP4665121
Art A3
31. Dezember 2025
Anmelder: Sumco Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4665121
- Aktenzeichen
- EP25211782
- Anmeldetag
- 1. November 2016
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/205C23C16/34H01L21/302H01L21/02C23C16/02C23C16/04C23C16/30C23C16/56H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumco Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumco
Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.
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