Züchtung von 2D-Einkristallmaterialien mit Grabenmustern
EP4666313
Art A1
24. Dezember 2025
Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4666313
- Aktenzeichen
- EP24757476
- Anmeldetag
- 12. Februar 2024
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02C23C14/04C23C14/06C23C14/22C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Massachusetts Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
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