Transistor mit Hoher Elektronenmobilität, Hemt, Struktur mit einem Gate, einer Quelle und einem Drain sowie Verfahren zum Betrieb Solch einer Hemt-Struktur
EP4672606
Art A1
31. Dezember 2025
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4672606
- Aktenzeichen
- EP24184265
- Anmeldetag
- 25. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/06H03K17/10H03K17/567// H03K17/687
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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