Verfahren zur Herstellung von Bodendickoxid (bto) in einem Graben eines Halbleitermaterials sowie Feldoxid (fox) auf dem Halbleitermaterial sowie Zugehöriges Halbleiterbauelement
EP4672906
Art A1
31. Dezember 2025
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4672906
- Aktenzeichen
- EP24185408
- Anmeldetag
- 28. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D64/27H10D30/66H10D30/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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