Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen und Halbleiterbauelemente dafür
EP4694614
Art A2
11. Februar 2026
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4694614
- Aktenzeichen
- EP25221194
- Anmeldetag
- 31. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank