Erweiterte Erweiterungsregion(en) für Gate-All-Around (gaa)-Feldeffekttransistorvorrichtung (fet) und Zugehörige Herstellungsverfahren

EP4706102 Art A1 11. März 2026

Anmelder: QUALCOMM INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4706102
Aktenzeichen: EP24726387
Anmeldetag: 15. April 2024
Veröffentlichung: 11. März 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/78H01L29/775H01L21/336H01L29/06B82Y10/00H01L29/08H01L29/165

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: QUALCOMM INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qualcomm

US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in San Diego. Qualcomm entwickelt Chipsätze und drahtlose Kommunikationstechnologien für Mobiltelefone, Netzwerke, Automobile und vernetzte Geräte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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