Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Fahrzeug
EP4708357
Art A1
11. März 2026
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4708357
- Aktenzeichen
- EP24800058
- Anmeldetag
- 15. April 2024
- Veröffentlichung
- 11. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/28H01L23/36H01L25/07
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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