Integrierte Gate-All-Around (gaa)/finfet-Transistorvorrichtungen
EP4716410
25. März 2026
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4716410
- Anmeldetag
- 1. August 2025
- Veröffentlichung
- 25. März 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
In embodiments of the present disclosure, an integrated transistor device includes a gate-all-around (GAA) transistor and a FinFET transistor device on the same substrate. The FinFET transistor includes a dielectric region between the channel of the FinFET transistor and the substrate.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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