Defektfreie Epitaktische Source- und Drain-Strukturen für Bandfeldeffekttransistoren
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4716411
- Anmeldetag
- 2. September 2025
- Veröffentlichung
- 25. März 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
Devices, transistor structures, systems, and techniques are described herein related to gate all around field effect transistors having a stack of nanoribbons (i.e., semiconductor structures) contacted by epitaxial source and drain structures at opposite ends of the nanoribbons. The transistors include a gate structure vertically between the nanoribbons. The nanoribbons are doped at their opposing ends and/or gaps are laterally between the gate structure and the source and drain structures.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
8.816 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
2SPL Patentanwälte PartG mbB