Diodengesteuerter Siliziumgleichrichter
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4716412
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 25. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D89/60
Abstract
The present disclosure relates to semiconductor structures and, more particularly, to diode triggered silicon controlled rectifiers and methods of manufacture. The structure includes: a vertical silicon controlled rectifier (SCR) having a doped semiconductor material region over a semiconductor substrate; and at least one vertical triggering diode electrically connected to the SCR in series, and having a doped semiconductor material region over a doped region in the semiconductor substrate.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
230 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Lambacher, Michael, et al