Mems-Druckwandlergehäuse auf Waferebene in Chipgrösse und Herstellungsverfahren dafür
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4717664
- Anmeldetag
- 27. September 2024
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00, H04R19/00
Abstract
The present disclosure concerns a MEMS pressure transducer Wafer-Level Chip-Scale Package (100) and a method for manufacturing the same. The method comprises a step of providing a MEMS wafer (110) comprising a plurality of adjacently arranged MEMS membrane structures (120). The method comprises a further step of providing an ASIC wafer (210) comprising a plurality of adjacently arranged integrated electronic components (220), and bonding the MEMS wafer (110) with the ASIC wafer (210) with their respective front sides (111, 211) facing each other. The method comprises a further step of structuring at least one first cavity (150) into MEMS wafer (110) and structuring a smaller second cavity (160) into the first cavity (150).
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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