Mems-Druckwandlergehäuse auf Waferebene in Chipgrösse und Herstellungsverfahren dafür

EP4717664 1. April 2026

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4717664
Anmeldetag
27. September 2024
Veröffentlichung
1. April 2026
Rechtsraum
EP
IPC
B81C1/00, H04R19/00
Offizieller Volltext

Abstract

The present disclosure concerns a MEMS pressure transducer Wafer-Level Chip-Scale Package (100) and a method for manufacturing the same. The method comprises a step of providing a MEMS wafer (110) comprising a plurality of adjacently arranged MEMS membrane structures (120). The method comprises a further step of providing an ASIC wafer (210) comprising a plurality of adjacently arranged integrated electronic components (220), and bonding the MEMS wafer (110) with the ASIC wafer (210) with their respective front sides (111, 211) facing each other. The method comprises a further step of structuring at least one first cavity (150) into MEMS wafer (110) and structuring a smaller second cavity (160) into the first cavity (150).

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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