Verfahren zur Herstellung eines Split-Gate-Grabenhalbleiters mit einem Dicken Inter-Polyoxid, Ipo-Schicht und Halbleiterbauelement mit einer Dicken Ipo-Schicht
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4718980
- Anmeldetag
- 26. September 2025
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A method of manufacturing a split-gate trench in a semiconductor material, said method comprising the steps of: providing a gate trench in said semiconductor material, said gate trench having an oxide material provided at a bottom side of said gate trench and provided on a sidewall of said gate trench, said gate trench further comprising a polysilicon material provided on top of said oxide material that is provided at said bottom side of said gate trench; providing a nitride spacer against the oxide material that is provided at the sidewall of the gate trench; growing an inter-poly oxide, IPO, on top of said polysilicon material, wherein said nitride spacer at least reduces growth of IPO at said oxide material provided at said sidewall, wherein IPO is grown preferentially and locally at said oxide material provided at a bottom-end of said nitride spacer; removing said nitride spacer.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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