Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Solchen Halbleiterbauelements
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4718981
- Anmeldetag
- 26. September 2025
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- (VISWANATHAN VIJAY et al.)
Abstract
The present invention disclosures a semiconductor device preferably a MOSFET transistor, having a EPI layer which is made of semiconductor material such as silicon. The EPI layer has a top surface and a bottom surface opposite to the front surface. The proposed MOSFET is a trench type transistor with the source-polysilicon element embedded in the trench formed in the substate
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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