Integrierte Struktur mit Anodisierungsbarriereschicht auf einer Schutzhülle und Zugehöriges Verfahren
Anmelder: Murata Manufacturing Co., Ltd., Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4730381
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 22. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- (VOIRON FRÉDÉRIC et al.)
Abstract
An integrated structure comprising: a substrate (100, 101), a conductive layer, the conductive layer having a first cavity, the first cavity (102C) being filled with a first insulating region (103F), the first insulating region having a top surface flush with a top surface of the conductive layer to form a first planar surface (F1), a protective liner (104) on the top surface of the conductive layer and the top surface of the first insulating region, an anodization barrier layer (105) on the protective liner, the protective liner and the anodization barrier layer having a second cavity (105_104C) passing through the protective liner and the anodization barrier layer and opening onto the first insulating region, the second cavity being filled with a second insulating region (106F), the second insulating region having a top surface flush with a top surface of the anodization barrier layer to form a second planar surface (F2).
Anmelder
- Firmen
- Murata Manufacturing Co., Ltd.
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Kyoto. Murata entwickelt und produziert elektronische Bauelemente wie Kondensatoren, Sensoren und Kommunikationsmodule für Elektronikgeräte.
6.611 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Cabinet Beau de Loménie