Graben-Feldeffekttransistor
Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4734697
- Anmeldetag
- 25. September 2025
- Veröffentlichung
- 29. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- (KONRATH JENS et al.)
Abstract
A trench field-effect transistor (FET) is disclosed. The trench FET includes a mesa having a source region (220) and a channel region (210) extending vertically under the source region. The trench FET further includes a gate material (216) formed with a different material compared to the mesa and contacting the sides of the channel region. In addition, the trench FET includes a shield region (212) formed under the gate material, and also includes a drain layer (206) located beneath the channel region.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Components Industries, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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