Zweistufige Laserverarbeitung zur Herstellung eines Mems-Chips mit einer Umweltbarrierestruktur aus Polymernanofasern

EP4737388 6. Mai 2026

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4737388
Anmeldetag
29. Oktober 2024
Veröffentlichung
6. Mai 2026
Rechtsraum
EP
IPC
B81B7/00, B81C1/00, H04R1/08
Offizieller Volltext

Abstract

A method for producing a MEMS chip (100) with an environmental barrier structure (150) made from polymer nanofibers (151), the method comprising providing a wafer substrate (110) having plurality of adjacent through holes (131, ..., 134). The environmental barrier structure (150) is created by applying polymer nanofibers (151) onto one of the front and back sides (111, 112) of the wafer substrate (110). A plurality of MEMS chips (100) are singulated from the wafer substrate (110) by applying a two-step laser process comprising: a first laser-processing step including guiding a laser beam (160) over the one side of the wafer substrate (110) at which the polymer nanofibers (151) are applied in order to locally remove the polymer nanofibers (151) from the wafer substrate (110) and to locally uncover an underlying surface, and a subsequent second laser-processing step including applying a stealth dicing process for singulating the MEMS chips (100) by guiding a stealth dicing laser beam over the locally uncovered surfaces.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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