Gestapelte Integrierte Schaltungsbauelemente
EP4739032
6. Mai 2026
Anmelder: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4739032
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A stacked integrated circuit device (1000) includes a plurality of nanosheet stack structures, a gate separator, a lower gate electrode, an upper gate electrode, a lower gate cut structure, an upper gate cut structure, and a coupling gate cut structure. The upper gate electrode extends along a side surface of the coupling gate cut structure and is electrically connected to the lower gate electrode.
Anmelder
- Firma
- SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
25.043 Patente in unserer Datenbank