Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Zugehöriges Halbleiterbauelement und Halbleitergehäuse
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4739077
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 6. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10W72/00, H10W72/30
Abstract
In the first aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device (100), comprising the steps of:- providing a substrate (110);- mounting a semiconductor die (120) having a first die surface and a second die surface opposite to the first die surface, with its first die surface to the substrate;- mounting a spacer (140) having a first spacer surface and a second spacer surface opposite to the first spacer surface, with its first spacer surface on the second die surface;- fusing bonding means (150) to the second spacer surface by means of ultrasonic fusing.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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