Herstellungsverfahren für Gan-Epitaxialfilm und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4741542
- Anmeldetag
- 18. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
Abstract
The present invention is a method for producing a GaN epitaxial film, the method including the steps of providing a support substrate having a diameter of 150 mm or more and a thickness of less than 1 mm, in which the support substrate includes a core composed of nitride ceramic enclosed by an encapsulating layer, producing a substrate in which a planarization layer and a seed crystal layer composed of SiC single crystal are sequentially laminated on the support substrate to obtain a substrate for epitaxial growth, and epitaxially growing a GaN epitaxial film having a thickness of 7 µm or more on the substrate for epitaxial growth, by which the GaN epitaxial film having a dislocation density of 1.0×10<sup>6</sup> / cm<sup>2</sup> or less is produced. This provides the method for producing a thick GaN film having a dislocation density of 1.0×10<sup>6</sup> / cm<sup>2</sup> or less, in which the film has a large diameter without warping and cracking at low cost using a simple process.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Wuesthoff & Wuesthoff wurde 1927 in Berlin von Dr. Franz und Dr. Freda Wuesthoff gegründet, die erste deutsche Patentanwältin, und zog 1949 nach München. Schwerpunkte liegen in Biotechnologie und Life Sciences, beraten wird auch auf Chinesisch, Koreanisch und Japanisch.