Elektronische Vorrichtung mit Speicherschaltung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4742245

Anmeldetag

5. November 2025

Veröffentlichung

13. Mai 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

La présente description concerne un dispositif mémoire (300) comportant une pluralité de cellules mémoire organisées en une matrice de lignes mots et de bits, chaque cellule comportant un élément mémoire (M) à changement de phase et deux transistors (T), connectés par leurs premiers noeuds, eux même connectés à une première borne de l'élément, où :les éléments d'une ligne bits sont connectés par leurs deuxièmes bornes ;les deux transistors d'une ligne de mots sont connectés par leurs grilles ;chaque cellule est connectée à deux lignes de sources, respectivement connectées à deux deuxièmes noeuds des transistors, les cellules d'une ligne de mots étant connectées aux deux lignes de sources et les cellules de deux lignes de mots successives étant connectées à une ligne de sources commune ; etchaque transistor est disposé dans et sur une paire de deux ailettes disposées dans un substrat semiconducteur (301).

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz