Quantenbauelement mit durch Gates und durch Verdünnte Bereiche in der Aktiven Schicht Definierten Quantenpunkten und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4746631
- Anmeldetag
- 10. November 2025
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- (INTEL CORP et al.)
Abstract
L'invention concerne un dispositif quantique (1) comprenant en empilement suivant une direction z, une couche de support (5), une couche active (10) à base d'un matériau semi-conducteur surmontant la couche de support et présentant une épaisseur, une couche diélectrique (15) surmontant la couche active et un réseau de premières grilles (20) surmontant la couche diélectrique, les premières grilles adjacentes du réseau étant séparées entre elles par des espaces, dits inter-grilles, remplies de deuxièmes grilles (40). Dans le dispositif (1) la couche active (10) comprend, en dessous des espaces inter-grilles, des zones amincies (11) à base du matériau semi-conducteur.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Vertreten von
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