Integrierte Gate-All-Around-Schaltungsstrukturen mit Elektrostatischer Entladungs-(esd)-Klemme
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4746638
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D89/60, // H10D30/67
Abstract
Gate-all-around integrated circuit structures having electrostatic discharge (ESD) clamps are described. For example, an integrated circuit structure includes a p channel device having a source structure and a drain structure. An n channel device is vertically stacked with the p channel device, the n channel device having a source structure and a drain structure. The source structure of the n channel device is electrically connected to the source structure of the p channel device. The drain structure of the n channel device is electrically connected to the drain structure of the p channel device.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
6.136 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
2SPL Patentanwälte PartG mbB