Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4750244
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A semiconductor device may include: channel pillars (12) arranged in a first direction (I) and a second direction (II) intersecting the first direction and having a first interval (W1) in the first direction and a second interval (W2) in the second direction, the first interval being smaller than the second interval; a select line (13) surrounding the channel pillars arranged in the first direction and extending in the first direction; word lines (WL) stacked above the select line; and local bit lines (17) penetrating through the word lines and connected to the channel pillars.
Anmelder
- Firma
- SK hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
59 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München