Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit mehreren Abschirmelektroden und Strukturen
Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4750248
- Anmeldetag
- 9. April 2025
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a region of semiconductor material including a top side, an edge region, a multiple shield conductor contact area within the edge region, an active area, and an upper shield contact area. The method includes providing an active trench. The active trench includes a lower shield conductor, a first shield dielectric isolating the lower shield conductor from the region of semiconductor material, an upper shield conductor, and a second shield dielectric isolating the lower shield conductor from the upper shield conductor within the active area. The lower shield conductor and the upper shield conductor are coupled together in the multiple shield conductor contact area. The method includes providing a shield contact in the upper shield contact area coupled to the upper shield conductor in the active trench.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Components Industries, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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