Verfahren zur Texturierung von Siliziumsubstraten

EP4750276 27. Mai 2026

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4750276
Anmeldetag
14. November 2025
Veröffentlichung
27. Mai 2026
Rechtsraum
EP
IPC
H10F77/70, H10F10/19
Offizieller Volltext

Abstract

La présente description concerne un procédé de texturation de substrats en silicium comprenant les étapes suivantes : a) fournir : - un premier substrat en silicium (100), comprenant une première face (101), recouverte par une couche d'oxyde (110), et une deuxième face (102), et - un deuxième substrat en silicium (200) comprenant une première face (201), recouverte par une couche d'oxyde (210), et une deuxième face (202), b) assembler le premier substrat (100) et le deuxième substrat (200) par collage direct hydrophile, en mettant en contact les couches d'oxyde (110, 210) des substrats (100, 200), c) mettre en contact la deuxième face (102) du premier substrat (100) et la deuxième face (202) du deuxième substrat (200) avec une solution basique, moyennant quoi la deuxième face (102) du premier substrat (100) et la deuxième face (202) du deuxième substrat (200) sont texturées, d) séparer les substrats (100,200).

Anmelder

Firma
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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