Verfahren zur Texturierung von Siliziumsubstraten
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4750276
- Anmeldetag
- 14. November 2025
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10F77/70, H10F10/19
Abstract
La présente description concerne un procédé de texturation de substrats en silicium comprenant les étapes suivantes : a) fournir : - un premier substrat en silicium (100), comprenant une première face (101), recouverte par une couche d'oxyde (110), et une deuxième face (102), et - un deuxième substrat en silicium (200) comprenant une première face (201), recouverte par une couche d'oxyde (210), et une deuxième face (202), b) assembler le premier substrat (100) et le deuxième substrat (200) par collage direct hydrophile, en mettant en contact les couches d'oxyde (110, 210) des substrats (100, 200), c) mettre en contact la deuxième face (102) du premier substrat (100) et la deuxième face (202) du deuxième substrat (200) avec une solution basique, moyennant quoi la deuxième face (102) du premier substrat (100) et la deuxième face (202) du deuxième substrat (200) sont texturées, d) séparer les substrats (100,200).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Cabinet Beaumont
Cabinet Beaumont · Grenoble