Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Auf-Isolator-Substrats
EP4750304
27. Mai 2026
Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4750304
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A method of forming an SOI substrate including a hydrogen thermal treatment performed on a pretreated sacrificial wafer, under high temperature. A stopper layer and a semiconductor layer may be sequentially formed on a first surface of the sacrificial wafer on which the hydrogen (H<sub>2</sub>) thermal treatment was performed. The stopper layer and the semiconductor layer may be formed by an epitaxial growth process using a mixed precursor including a monosilane (MS) source and a dichlorosilane (DCS) source.
Anmelder
- Firma
- SK hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
59 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München