Speichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Speichervorrichtung
EP4753394
3. Juni 2026
Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4753394
- Anmeldetag
- 2. Dezember 2025
- Veröffentlichung
- 3. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A memory device includes a contact, and a plurality of support structures disposed around the contact, wherein each of the support structures is formed utilizing a plurality of overlapping holes. The support structures include an insulating layer disposed within the overlapping holes. The support structures are formed by expanding and overlapping a plurality of first openings.
Anmelder
- Firma
- SK hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
59 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München