Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP4757523
10. Juni 2026
Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4757523
- Anmeldetag
- 20. November 2025
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A semiconductor device includes a first conductive line including an upper portion of a carbon-based thin layer; a variable resistance layer disposed over the first conductive line; a selector layer disposed over the variable resistance layer and a second conductive line disposed over the selector layer.
Anmelder
- Firma
- SK hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
59 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München