Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronischen Vorrichtung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4757542

Anmeldetag

1. Dezember 2025

Veröffentlichung

10. Juni 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (100), une cavité (150) étant formée à partir d'une première face principale (101) du substrat (100), le fond (151) de la cavité (150) étant en un premier matériau, la première face principale (101) étant en un deuxième matériau, b) réaliser une épitaxie sélective d'un troisième matériau dans la cavité (150), pour former une structure épitaxiée (200) remplissant et débordant de la cavité (150) d'une épaisseur dite de débordement, c) déposer une couche d'encapsulation (300) en un quatrième matériau sur le substrat (100) et la structure épitaxiée (200), d) réaliser une étape d'amincissement par CMP pour retirer la couche d'encapsulation (300) et la partie du matériau épitaxié dépassant de la première face principale (101), l'épaisseur de la couche d'encapsulation (300) déposée étant comprise entre 20 et 200% de l'épaisseur de débordement.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich