Verfahren zur Herstellung einer Optoelektronischen Vorrichtung mit einer Diode, die mit einer Optischen Komponente Bedeckt Ist, und Resultierende Optoelektronische Vorrichtung

EP4757546 10. Juni 2026

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4757546
Anmeldetag
2. Dezember 2025
Veröffentlichung
10. Juni 2026
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) comportant au moins une diode (10) photoémettrice ou photoréceptrice présentant une face avant destinée à transmettre ou recevoir un rayonnement lumineux ; au moins un composant optique (50) de mise en forme du rayonnement lumineux, situé sur la face avant et recouvrant la diode, et présentant une variation latérale d'indice optique effectif (ñ) prédéfinie. Le procédé comporte les étapes suivantes : fournir la diode (10) ; déterminer une variation latérale d'un taux de porosité (p), à partir d'une variation latérale d'indice optique cible (n<sub>c</sub>) prédéfinie, d'une portion semiconductrice réalisée en un matériau cristallin transparent au rayonnement lumineux et située sur la face avant et recouvrant la diode (10) ; réaliser la portion semiconductrice à porosifier ; effectuer une porosification électrochimique de la portion semiconductrice, de sorte qu'elle présente la variation latérale déterminée du taux de porosité (p), la portion semiconductrice ainsi porosifiée formant alors le composant optique (50).

Anmelder

Firma
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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