Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP4761495
17. Juni 2026
Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4761495
- Anmeldetag
- 24. November 2025
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A semiconductor device including high-integrated memory cells and a method for fabricating the semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a vertical arrangement and a horizontal arrangement of nano sheets; horizontal conductive lines horizontally oriented while surrounding the horizontal arrangement of the nano sheets; pads coupled to edge portions of the horizontal conductive lines; and inter-pad dielectric layers disposed between the pads, each inter-pad dielectric layer including an air gap.
Anmelder
- Firma
- SK hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
59 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Isarpatent