Optoelektronische Vorrichtung mit Iii-V-Struktur auf einem Substrat mit einem Siliziumwellenleiter

EP4764632 24. Juni 2026

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4764632
Anmeldetag: 16. Dezember 2025
Veröffentlichung: 24. Juni 2026
Rechtsraum: EP
IPC: G02B6/12, // G02B6/122

Abstract

L'invention concerne un dispositif optoélectronique (1) comprenant : un substrat (10) comprenant un guide d'onde (11) silicium, une structure III-V (12) formant un premier guide d'onde et comprenant : une première couche (13), par exemple dopée -n, une couche optiquement active (14), une deuxième couche (15) par exemple dopée -p, et une couche intermédiaire (16) à base d'un matériau III-V configurée pour former un guide d'onde d'indice de réfraction effectif compris entre l'indice de réfraction effectif du premier guide d'onde et l'indice de réfraction effectif du guide d'onde silicium (11), de façon à obtenir un couplage optique entre le premier guide d'onde (12) et le guide d'onde intermédiaire (16), et un couplage optique entre le guide d'onde intermédiaire (16) et le guide d'onde à base de silicium (11).

Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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